测量重复精度(蓝宝石类单拋表面 WAFER):±2um ; 4.工作模式选择
本机共有五种测量模式以对应用户不同的需求。
4.1 标准一电测量:按照半导体行业标准对 WAFER 中心点的厚度进行测量。
4.2 标准 5 点测量:按照半导体行业标准对 WAFER 的靠近边沿的 4 点(左上、左下、右上及右下)及中心点的厚度进行测量。
4.3 企业内部标准一点测量:用户自己定义的 WAFER 缺口附近的一个点的厚度进行测量。
4.420 点以内随机点测:用户自己根据生产需要可以在 20 个点以内,用鼠标在 WAFER 上选择任意位置并对其厚度进行测量。
4.5 连续点测量:在由两个端点确定的一条直线路径上可以进行 100 点的连续厚度测量以检查晶片的表面形态。
5.分选速度
为了保证不造成对 WAFER 表面造成损伤,研究人员建议的安全分选速度为:
>单点或中心测量模式速度: ≥130 片/小时
>标准 5 点测量速度:≥110 片/小时